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1.74μm压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器(英文)

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制备了1.74μm脊波导结构压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器.采用低压金属有机化合物气相沉积法生长器件材料,应用应变缓冲层防止In的分凝.未镀膜的腔长为300μm的器件阈值电流为11.5mA,100mA时最大输出功率为14mW,边模抑制比为33.5dB.

著录项

来源
《半导体学报》 |2005年第9期|1688-1691|共4页
作者
潘教青; 王圩; 朱洪亮; 赵谦; 王宝军; 周帆; 王鲁峰;
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作者单位

中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
分布反馈激光器; 压应变; 量子阱;

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