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柏劲松; 方祖捷; 张云妹; 陈高庭; 李爱珍; 陈建新;
中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学实验室信息光电子技术研究室;
中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室;
GSMBE生长; 中红外波段; 应变量子阱激光器; InGAAs/InGAAsP;
机译:MBE生长的脊形波导InGaAs / InGaAsP应变量子阱激光器的波长为2μm
机译:单量子阱应变层InGaAs-InGaAsP激光器,波长范围为1.43至1.55μm
机译:高性能1.5μm波长InGaAs-InGaAsP应变量子阱激光器和放大器
机译:用于1.3mm波长激光器的压缩应变和应变补偿InAsP / IngaAsP量子阱的GSMBE生长
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:峰值波长控制的InGaAs / AlGaAs量子阱的分子束外延生长用于4.3μm中波长红外检测
机译:使用新型InGaAsP和AlGaAs混合材料系统生长和制备高性能980nm应变InGaAs量子阱激光器
机译:长波长INGaas / InGaasp量子阱激光器在[约] 2.0微米
机译:具有量子阱-势垒层界面结构的GaAs衬底上的应变层InGaAs量子阱半导体激光器
机译:应变层InP / InGaAs量子阱激光器
机译:一种制造多波长分布式反馈(DFB)激光器阵列的方法,该阵列包括在通过选择性区域外延生长而生长的量子阱层上具有不同厚度的激光单元的顶部分离的限制层
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