InGaAs/InGaAsP应变补偿量子阱激光器的线性增益和微分增益

机译：应变对InGaAs / InGaAsP应变多量子阱激光器的K因子，差分增益和非线性增益系数的影响

机译：InGaAsP / InP应变层量子阱激光器中应变和量子约束对微分增益的纯效应的理论分析

机译：1.55μmInGaAs / InGaAsP MQW和应变MQW激光器的K因子，差分增益和非线性增益系数对光约束因子的依赖性

机译：MOVPE在N / sub 2 /下生长的应变补偿MQW InGaAsP / InGaAsP增益和折射率耦合激光器阵列

机译：1.55微米应变和应变补偿多量子阱单频激光器的设计，分析和制造技术。

机译：应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的（001）图案化Si衬底上生长的InP的缺陷

机译：基于InP的晶格匹配InGaAsP和应变补偿InGaAs / InGaAs量子阱电池，用于热光电应用

机译：InGaasp光子晶体激光器中量子阱和阱增益峰之间光谱对准的阈值独立性和腔谐振

机译：增益增强掺杂的高速InGaAsP激光器

机译：具有选择氧化型或离子注入型电流限制结构，InGaAsp量子阱以及InGaP或InGaAsp势垒层的表面发射半导体激光元件

机译：-通过介电-半导体盖层的组合在量子阱混合中控制InGaAs / InGaAsP量子阱带隙的方法