InAsP/InGaAsP量子阱为有源层的垂直腔面发射激光器及方法

摘要

本发明涉及长波长(1.3μm)InAsP/InGaAsP量子阱垂直腔面发射激光器(VCSEL)及制作方法，其特征在于有源层为InP基的InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱。由有效质量模型计算得到InAsP/InGaAsP量子阱能级，从获取最大电子限制能量角度设计了量子阱结构参数。InAsP/InGaAsP量子阱材料体系的主要优点在于它的导带带阶大因而有利于电子限制，实现高温度工作性能。该VCSEL器件结构由气态源分子束外延技术生长。InAsP/InGaAsP量子阱VCSEL底部腔镜为GaAs/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)，采用高温直接键合方法实现InP基有源区与GaAs/AlAs DBR的融合，顶部腔镜则由多层光学介质膜DBR构成，电流限制孔径则由侧向腐蚀p+－AlInAs/n+－InP工艺实现。