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陈博; 王圩; 张静媛; 汪孝杰; 周帆; 朱洪亮; 边静; 马朝华;
国家光电子工艺中心;
中国科学院半导体研究所;
DFB激光器; 增益耦合; 应变多量子阱;
机译:部分增益耦合InGaAsP / InP多量子阱DFB激光器纵向模式行为的仿真和解释
机译:p掺杂对FP和DFB 1.3- / splμm/ m InGaAsP-InP多量子阱激光器中差分增益的温度依赖性的影响
机译:1.55μm高速度的部分增益耦合DFB激光器,带有周期性刻蚀的应变层量子阱
机译:1.3um InGaAsP / InP应变层多量子阱复合耦合分布式反馈激光器
机译:基于1.55μm的INP的DFB激光集成Mach-Zehnder调制器的光学反馈效果高达100 GBD数据传输=1.55μm基于INP的DFB激光器集成Mach-Zehnder调制器中的光学反馈效果最多100 GBD D.
机译:电注入II型(GaIn)As / Ga(AsSb)/(GaIn)As W型量子阱激光器的高温工作发射出1.3 µm量子阱激光器
机译:埋氧氧化物脊波导Inalas-Inp-InGaasp(λ约1.3微米)量子阱异质结构激光二极管
机译:应变层InP / InGaAs量子阱激光器
机译:一种制造多波长分布式反馈(DFB)激光器阵列的方法,该阵列包括在通过选择性区域外延生长而生长的量子阱层上具有不同厚度的激光单元的顶部分离的限制层
机译:耦合量子阱应变超晶格结构和包含该结构的光学双稳态半导体激光器
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