选择外延生长应变测量方法及量子阱激光器制作方法及量子阱激光器

摘要

本发明公开了一种选择外延生长应变测量方法，包括如下步骤：1）在衬底上形成掩膜，在带有掩膜的衬底上选择外延生长材料；2）将选择外延生长区域以外的所有外延材料去除，将掩膜材料去除，仅仅剩下选择外延生长区域的材料；3）测量衬底上材料的应变，测量的应变为选择外延区域材料的应变。同时，提出一种利用该方法的选择外延生长量子阱激光器制作方法以及量子阱激光器。该方法能精确测量选择外延导致的应变的变化，从而为选择外延生长材料的表征提供一种低成本且精确的方法。且制作的量子阱激光器的性能良好。