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李建军;
北京工业大学;
光电子技术教育部重点实验室;
量子阱; 能带结构; 张应变;
机译:GaASP / Algaas拉伸应变量子孔激光二极管接近800nm波长的有源区设计
机译:具有所有四级有源区的长波长,多量子阱,脊形波导激光器中应变引起的性能改善
机译:高功率拉伸应变的GaAsP-AlGaAs量子阱激光器,发射的波长为715至790 nm
机译:使用AGaInAs / InP量子阱有源区的长波长晶体管激光器的激光操作
机译:具有应变和非应变量子阱有源区的垂直腔面发射激光器的设计。
机译:II型InAs / GaInAsSb量子阱中的界面混合设计用于中红外发射带间级联激光器的有源区域
机译:GaAs,GaASP和Ingaalas量子阱有源区的设计和比较808-NM VCSELS
机译:压缩应变量子阱有源区微腔表面发射激光器的稳态和瞬态特性
机译:发射激光器,异质结构和有源区的系统-量子阱对,用于发射激光器的波长为1,55微米
机译:具有阶梯式阱有源区的量子级联激光器设计
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