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机译:GaASP / Algaas拉伸应变量子孔激光二极管接近800nm波长的有源区设计
Beijing Univ Technol Minist Educ Key Lab Optoelect Technol Beijing 100124 Peoples R China;
quantum well; energy band structure; tensile strain;
机译:GaASP / Algaas拉伸应变量子孔激光二极管接近800nm波长的有源区设计
机译:高性能770 nm AlGaAs-GaAsP拉伸应变量子阱激光二极管
机译:MOCVD生长的高功率低散度980 nm InGaAs-GaAsP-AlGaAs应变补偿量子阱二极管激光器
机译:高功率拉伸应变的GaAsP-AlGaAs量子阱二极管激光器发射718 nm至735 nm之间的光
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机译:GaAs,GaASP和Ingaalas量子阱有源区的设计和比较808-NM VCSELS
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