机译:对具有InGaAs / GaAs量子阱有源区和故意失谐的光腔的基于GaAs的VCSEL达到1.30μm发射的可能性进行物理分析
机译:1550 nm GaAsSb-(In)GaAsN II型量子阱激光有源区的设计分析
机译:GaASP / Algaas拉伸应变量子孔激光二极管接近800nm波长的有源区设计
机译:分级缓冲设计和有源区结构对GAP / SI模板生长的GAASP单结太阳能电池的影响
机译:改进了用于长波长InGaAlAs / InP激光器的限制结构和量子阱设计。
机译:II型InAs / GaInAsSb量子阱中的界面混合设计用于中红外发射带间级联激光器的有源区域
机译:1550nm Gaassb-(In)GaasNⅡ型量子阱激光有源区的设计分析
机译:数字合金成分分级技术在应变InGaas / Gaas / alGaas二极管激光有源区的应用