Lasers; Current density; Emission; Frequency; Gallium arsenides; Layers; Pressure; Quantum efficiency; Reduction; Reprints; Setting(Adjusting); Test equipment; Thickness; Threshold effects; Variations; Semiconductor lasers; Quantum wells; Vapor phase epitaxy; Aluminum gallium arsenides;
机译:通过有机金属气相外延生长的高度均匀的GaAs / AlGaAs GRIN-SCH SQW二极管激光器
机译:高性能应变层InGaAs-AlGaAs二极管激光器的有机金属气相外延
机译:由ECR-IBAE制造的应变层InGaAs-AlGaAs量子阱脊波导二极管激光器的均匀线性阵列
机译:50-W峰值电源ALGAAS / INGAAS / GAAs单量子 - 井990-NM二极管激光器
机译:通过分子束外延生长低无序GaAs / AlGaAs异质结构,以研究二维相关电子相。
机译:峰值波长控制的InGaAs / AlGaAs量子阱的分子束外延生长用于4.3μm中波长红外检测
机译:量子阱alGaas激光二极管增益谱中没有k选择的证据
机译:由有机金属气相外延生长的高度均匀的Gaas / alGaas GRIN-sCH sQW二极管激光器。