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冯禹臣; 高大超; 袁佑荣;
中国科学院长春物理所;
GaAs/AlGaAs; 衬底; 基片; MBE; 激光材料; 量子阱材料; 外延层; 均匀性; 双晶衍射; 低温光致发光;
机译:MBE生长的GaAs / AlGaAs异质界面的特征在于量子阱的光致发光
机译:MBE在不同方向上生长的无锰GaAs / AlAs和含锰Ga1-xMnxAs / AlAs量子阱(QW)的比较光致发光研究
机译:MBE在不同方向上生长的无锰GaAs / AlAs和含Mn的Ga1-xMnxAs / AlAs量子阱(QW)的比较光致发光研究(vol 96,pg 223,2016)
机译:InGaAs / GaAs量子阱的X射线双晶衍射研究
机译:掺Si的GaAs / AlGaAs多量子阱中电子与电子相互作用的远红外研究。
机译:在(100)和(311)B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱
机译:改进的mBE硬件和技术以及镓纯度的作用 二维电子气迁移率> 35 x10 ^ 6 cm ^ 2 / Vs in 由mBE生长的alGaas / Gaas量子阱
机译:生长中断对整数和分数单层alGaas / Gaas量子阱影响的光致发光研究
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:利用GaAs / AlGaAs基体制备量子精细阱的方法
机译:利用MBE材料晶粒生长的分子束衍射的量子细线激光二极管的生产方式为零
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