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刘翠翠; 林楠; 马骁宇; 井红旗; 刘素平;
中国原子能科学研究院核物理所,北京102413;
国防科技工业抗辐照应用技术创新中心,北京102413;
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心,北京100083;
中国科学院大学,北京100049;
半导体激光二极管; 腔面光学灾变损伤; 量子阱混杂; 非吸收窗口;
机译:通过无杂质空位无序量子阱混合单片制备InGaAs / GaAs / AlGaAs多波长量子阱激光二极管
机译:快速热退火对InGaAs / AlGaAs量子阱激光二极管器件性能的影响
机译:基于碳掺杂量子阱InGaAs / AlGaAs异质结构的大功率单模激光二极管
机译:InGaAs / InGaAsP / AlGaAs量子阱二极管激光器的材料生长研究和高性能(λ= 0.98μm)
机译:GaAs衬底上用于1.3微米电吸收调制器的InGaAs / InAlAs量子阱。
机译:非掺杂InGaAs / AlGaAs多量子阱中异常线性光电流效应及其对波长的依赖性
机译:光栅调谐CW单频外腔应变量子阱InGaas / alGaas Grinsch二极管激光器光谱线宽的波长依赖性
机译:自由运行的连续波单频外腔量子阱InGaas / alGaas二极管激光器的光谱线宽
机译:具有下部衬底/光学腔层以及具有内部蚀刻腔和上部沉积层的量子阱区域的非吸收镜功率激光半导体结构/制造技术
机译:具有非吸收镜和电流限制功能的平面,无拓扑,单模,高功率半导体量子阱激光器
机译:混合硅激光-量子阱混合晶片键合集成平台,用于带有电吸收调制器的先进光子电路
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