形成镓砷/铝镓砷激光二极管的非吸收窗口的方法

摘要

本发明一种形成镓砷/铝镓砷激光二极管的非吸收窗口的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)利用高温二氧化硅膜对有源区的压应力，在镓砷/铝镓砷激光二极管的前后腔面处形成非吸收窗口区，两窗口区的中间部分为注入区；(2)对窗口区中的条形以外的区域进行深腐蚀，腐蚀深度接近有源区，然后在相应温度下生长二氧化硅层；(3)对窗口区中的条形内的区域进行微腐蚀，除去欧姆接触层，然后在常温下，生长薄的二氧化硅层；(4)注入区的薄的二氧化硅隔离层在常温下生长；器件的其它工艺与常规器件相同。