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InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的可靠性

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利用分子束外延方法研制的ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器外延材料制备了窄条型脊型波导结构量子阱激光器件．通过对其５０℃高温加速老化，检测了器件的可靠性，并对器件中存在的三种典型退化行为，即快速退化、慢退化和端面光学灾变损伤进行了分析与研究．

著录项

来源
《半导体学报：英文版》|1999年第4期|278-283|共6页
作者
杨国文; 徐俊英; 徐遵图; 张敬明; 陈良惠;
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作者单位

中国科学院半导体研究所;

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正文语种 chi
中图分类 TN248.403;
关键词
应变量子阱; 激光器; 结构; 可靠性; 分子束外延;

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