一种高可靠性的应变量子阱激光器的外延片生长方法

摘要

本发明提供一种高可靠性的应变量子阱激光器的外延片生长方法，包括准备衬底；在衬底上依次生长Si缓冲层,Si过渡层,Si下限制层,下波导层，MQW有源区，上波导层，Zn上限制层，Zn帽层,Zn光栅层，Zn空间层，Zn梯度层，Zn接触层，Zn盖层。Si下限制层和Zn上限制层分别为上下δ掺杂限制层结构。与现有工艺相比，此δ结构可以保证一定程度上提升电子/空穴浓度，同时拉远了其限制层与有源区的界面接触，减少了Zn与Si向有源区的扩散，以此改善有源区的晶体质量，从而提升了应变量子阱激光器的可靠性。