低阈值电流密度INGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器

徐遵图; 徐俊英; 杨国文; 张敬明; 陈昌华; 何晓曦; 陈良惠; 沈光地

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利用分子束外延技术，生长了极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的InGaAs／GaAs／AlGaAs应变量子阱激光器．在腔长900μm时，80μm宽接触激光器阈值电流密度是125A／cm2，在腔长为2000μm时是113A／cm2，这样低的阈值电流密度是目前国内报道的最低值．激光器的内损耗和内量子效率分别是2cm－1和84％．

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来源
《半导体学报：英文版》|1997年第5期|321-324|共4页
作者
徐遵图; 徐俊英; 杨国文; 张敬明; 陈昌华; 何晓曦; 陈良惠; 沈光地;
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作者单位

中国科学院半导体研究所国家光电子工程研究中心;

北京工业大学电子工程系和北京市光电子技术实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
量子阱激光器; 分子束外延; 低阈值电流密度;
入库时间 2022-08-20 15:41:42

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