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MOCVD制备GaAs/AlGaAs异质结和异质结双极晶体管(HBT)的研究

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本文应用MOCVD技术制备出高质量的GaAs,AlGaAs外延材料以及GaAs/AlGaAs异质结和多量子阱结构.首次成功地用该技术生长了微波HBT全结构材料,并获得了较高性能的器件结果:300K时直流增益(β)为15～40,77K时为60,截止频率大于10GHz,最高振荡频率为5.5GHz.

著录项

来源
《固体电子学研究与进展》|1991年第3期|230-234|共5页
作者
黄柏标; 刘士文; 任红文; 刘立强; 蒋民华; 徐现刚;
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作者单位

山东大学晶体材料研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN322.8;
关键词
双极晶体管; 异质结; 工艺; MOCVD;

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