公开/公告号CN111244188B
专利类型发明专利
公开/公告日2022-04-01
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN202010060088.1
申请日2020-01-19
分类号H01L29/861(20060101);H01L29/267(20060101);H01L21/329(20060101);
代理机构44202 广州三环专利商标代理有限公司;
代理人郝传鑫;贾允
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2022-08-23 13:22:49
机译: 在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译: /异质结半导体器件的GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法和使用GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法制造p-HEMT的方法