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自对准AlGaAs/GaAs微波异质结双极晶体管(HBT)

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本文提出了一种制作HBT采用的垂直台面结构自对准工艺.利用该工艺及对A1GaAs/GaAs具有高选择比的化学湿法腐蚀剂,已研制成微波HBT.发射区台面与基极电极间隙为0.1μm,最大直流电流增益为40,截止频率f_T为10GHz.

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来源
《固体电子学研究与进展》 |1991年第3期|225-229|共5页
作者
吴英; 陈效建;
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作者单位

南京电子器件研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN322.8;
关键词
双极晶体管; 异质结; AlGaAs/GaAs;

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