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台面型自对准结构AlGaAs/GaAs HBT的工艺研究

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本文提出了一种台面型全自对准结构AlGaAs/GaAs HBT的制造方案,对其中的欧姆接触金属系统的制备.AlGaAs/GaAs材料的选择性腐蚀及聚酰亚胺的反应离子刻蚀终点监控等关键工艺技术进行了研究。并给出了应用该工艺研制的HBT器件的初步结果.

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来源
《微电子学与计算机》 |1993年第10期|40-43|共4页
作者
许军; 周文益; 刘佑宝; 黄敞;
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作者单位

骊山微电子学研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN322.8;
关键词
双极性晶体管; 自对准结构; 工艺; HBT;

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