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机译:发射极尺寸对具有AlGaAs表面钝化层的完全自对准AlGaAs / GaAs HBT的电流增益的影响
机译:具有AlGaAs表面钝化层的自对准AlGaAs / GaAs HBT的1 / f降噪
机译:AlGaAs / GaAs自对准薄发射极异质结双极晶体管(SATE-HBT)的亚微米缩放,电流增益与发射极面积无关
机译:利用InGaAs覆盖层实现低发射极电阻的自对准AlGaAs / GaAs HBT
机译:适用于无线通信应用的高增益高功率附加自对准AlGaAs / GaAs HBT
机译:AlGaAs / GaAs半导体中光波导的垂直集成
机译:通过在绝缘GaAs / AlGaAs量子阱的界面处插入超薄InAs层来调整Rashba / Dresselhaus自旋分裂
机译:X射线光电子能谱研究(111)B表面上基于AlGaAs / GaAs量子结构的硅中间层的表面钝化
机译:单片二维表面发射应变层InGaas / alGaas和alInGaas / alGaas二极管激光器阵列,具有超过50%的差分量子效率