首页> 中文期刊>科技通讯（上海） >分子束外延生长n—AlGaAs／GaAs调制掺杂异质结构

分子束外延生长n—AlGaAs／GaAs调制掺杂异质结构

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

页面导航

著录项
相似文献
相关主题

著录项

来源
《科技通讯（上海）》|1992年第2期|18-21|共4页
作者
陆飞; 李爱珍;
展开▼
作者单位

不详;

不详;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 TN386.053;
关键词
AlGaAs／GaAS; 外延生长; 调制掺杂;
入库时间 2023-07-26 02:21:31

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 分子束外延生长n—AlGaAs／GaAs调制掺杂异质结构 [J] . 陆飞 ,李爱珍 . 上海半导体 . 1992,第002期
2. 具有MIS结构的n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs双调制掺杂赝HEMT [J] . 相奇 ,罗晋生 ,曾庆明 . 半导体学报：英文版 . 1992,第2期
3. 调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的研究 [J] . 彭正夫 ,张允强 ,高翔 . 固体电子学研究与进展 . 1992,第4期
4. MOCVD生长GaAs/AlGaAs掺杂量子异质结构工艺评价 [J] . 任红文 ,刘士文 ,徐现刚 . 人工晶体学报 . 1993,第2期
5. 高质量应变层InGaAs／AlGaAs调制掺杂结构的研究 [J] . 江潮 ,姜炜 . 半导体情报 . 1991,第006期
6. 分子束外延生长AlGaAs/GaAs量子阱中红外和双色红外探测器结构 [C] . 周增圻 . 第五届全国固体薄膜学术会议 . 1996
7. 调制掺杂GaAs/AlGaAs 2DEG和InAs量子点材料的制备及特性研究 [A] . 舒强 . 2007

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号