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彭正夫; 张允强; 高翔; 孙娟; 朱顺才;
南京电子器件研究所;
分子束外延; 调制掺杂; 量子阱;
机译:GaAs-AlGaAs和应变层InGaAs-GaAs-AlGaAs梯度折射率分离禁区异质结构单量子阱激光器的光学和微波性能
机译:MOVPE制备的<111>取向的GaAs / AlGaAs和inGaAs / GaAs量子阱结构及其光学和应变感应压电特性
机译:调制掺杂的AlGaAs / InGaAs / GaAs量子阱的光致发光光谱中的费米边奇异性
机译:GaAs-AlGaAs和应变层InGaAs-GaAs-AlGaAs梯度折射率分离约束异质结构单量子阱激光器的光学和微波性能
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:退火生长的n型和p型调制掺杂GaInNAs / GaAs应变量子阱结构的磁输运研究
机译:调制掺杂的假晶alGaas / InGaas / Gaas量子阱的光致发光和电反射研究。
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:具有量子阱-势垒层界面结构的GaAs衬底上的应变层InGaAs量子阱半导体激光器
机译:具有阻止掺杂剂扩散的阻挡层的调制掺杂量子阱结构的半导体激光器及其制造方法
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