机译:退火生长的n型和p型调制掺杂GaInNAs / GaAs应变量子阱结构的磁输运研究
机译:以生长和热退火的N-和P型调节掺杂Ga_(0.68)IN_(0.32)N_XAS_(1-X)/ GaAs量子阱结构的光致发光特性
机译:GaInNAs / GaAs和GaInAs / GaAs量子阱结构的退火退火后的光谱光电导率和面内光电压研究
机译:N型和P型调制Gainnas / Gaas量子阱中的电子传输
机译:在调制掺杂的P型GE_(1-x)Si_x / Ge / Ge_(1-x)Si_x量子井中的多价 - 子带磁传输
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:退火生长的n型和p型调制掺杂GaInNAs / GaAs应变量子阱结构的磁输运研究
机译:分析生长和退火的n型和p型调制掺杂GaInNAs / GaAs量子阱中的霍尔迁移率
机译:n型和p型假晶调制掺杂场效应晶体管的能带结构和电荷控制研究