高质量应变层InGaAs／AlGaAs调制掺杂结构的研究

摘要

本文系统地研究了应变层InGaAs/AlbaAs调制掺杂材料的生长,提出了生长高质量调制掺杂结构的关键措施。应用该材料制作PHEMT器件可得到良好结果。12GHz下噪声系数达到0.68dB,其相关增益大于7dB。