MOCVD生长GaAs/AlGaAs掺杂量子异质结构工艺评价

摘要

对常压 MOCVD 生长 GaAs/AIGaAs 掺杂多量子阱、超晶格及双极异质晶体管(HBT)和双势垒量子共振隧穿二极管(DBRTD)的生长工艺与结构性能的关系进行了研究。连续生长的量子阱材料载流子低温光荧光(PL)发光波长较间断生长结果蓝移,但强度为后者的10倍,且谱线也较窄。透射电镜(TEM)观察发现,间断生长界面间断处有一因组分波动和杂质吸附产生的亮条纹,且 AlGaAs/GaAs 和 GaAs/AlGaAs 两种异质界面不等同。利用连续生长工艺得到了间断生长未能实现的较高性能的 HBT、DBRTD 器件。