Performance evaluation; Microwave measurement; Voltage measurement; Silicon-on-insulator; Logic gates; Noise measurement; Gain;
机译:完全耗尽SOI CMOS技术中金属T型栅极结构的RF表征
机译:高性能全耗尽三栅极CMOS晶体管
机译:器件缩放对深亚微米薄栅氧化物CMOS器件的1 / f噪声性能的影响
机译:UTBOX和接地层与在TiN栅极中插入的Al
机译:应变对硅CMOS晶体管的影响:阈值电压,栅极隧穿电流和1 / f噪声特性。
机译:通过分解差分放大器实现具有密度可缩放的有源读出像素的4.8μVrms噪声CMOS微电极阵列
机译:采用全耗尽三栅极晶体管,自对准触点和高密度mIm电容器的22nm高性能和低功耗CmOs技术
机译:63-meV,1-mrad(si)质子辐照后0.35-(μm)sOI CmOs器件和微功率前置放大器的噪声性能