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机译:高性能全耗尽三栅极CMOS晶体管
Components Res., Intel Corp., Hillsboro, OR, USA;
MOSFET; CMOS integrated circuits; silicon-on-insulator; semiconductor device measurement; semiconductor device models; high performance fully-depleted tri-gate CMOS transistors; physical gate lengths; SOI substrates; top gate; side gates; insulating;
机译:作为后CMOS器件,基于石墨烯的横向异质结构晶体管表现出比基于石墨烯的垂直晶体管更好的固有性能
机译:双材料三栅极隧道场效应晶体管的3D建模和性能分析
机译:双材料三门隧道场效应晶体管的3D建模与性能分析
机译:22nm高性能和低功耗CMOS技术,具有完全耗尽的三栅晶体管,自对准触点和高密度MIM电容器
机译:100 nm(Leff)高性能CMOS晶体管的建模,仿真和制造
机译:作为后CMOS器件基于石墨烯的横向异质结构晶体管表现出比基于石墨烯的垂直晶体管更好的固有性能
机译:采用全耗尽三栅极晶体管,自对准触点和高密度mIm电容器的22nm高性能和低功耗CmOs技术