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刘梦新; 高勇; 张新; 王彩琳; 杨媛;
西安理工大学自动化学院电子工程系;
全耗尽; 自加热效应; 高温; 瞬态特性; DSOI; 互补金属-氧化物-半导体倒相器;
机译:0.25μm全耗尽SOI MOSFET,用于RF混合模拟数字电路,包括与部分耗尽器件的高频噪声参数相关的比较
机译:用于全耗尽CMOS / SOI电路故障仿真的浮体效应模型
机译:用于模拟应用的全耗尽SOI CMOS
机译:薄膜全耗尽SOI CMOS技术的高温模拟仪表系统
机译:部分耗尽的SOI CMOS中的辐射硬化模拟电路。
机译:超低功率高温和辐射硬互补金属氧化物半导体(CMOS)绝缘体上硅(SOI)电压基准
机译:采用反向体偏置(RBB)的高达400°C高温的pD-sOI CmOs技术的模拟电路设计
机译:采用0.25微米全耗尽sOI CmOs工艺制造的晶体管的热载流子可靠性
机译:用于部分耗尽的SOI CMOS技术的浮体电荷监视电路
机译:全耗尽型SOI型半导体器件和集成电路
机译:具有耗尽的源极和漏极的全耗尽SOI晶体管
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