ｎ－ＧａＮ肖特基结

摘要

在ＭＢＥ和ＭＯＣＶＤ两种方法制备的ｎ－ＧａＮ材料上，通过热蒸发、离子束溅射和光快速退火等工艺，制作了Ａｕ－ＧａＮ肖特基结和Ｔｉ／Ａ１／Ｔｉ／Ａｕ－ＧａＮ欧姆接触，并在室温测定了肖特基结的Ｉ－Ｖ特性。分析表明。ＧａＮ材料的载流子浓度对肖特基结的特性有很大的影响。