摘要:通过改变蒸发源、衬底温度和氧的流量,用电子束蒸发法制备了Si/SiOx薄膜。实验发现氧的存在形态跟蒸发条件密切相关;对以硅为发源的样品,只观察到间隙氧和SiOx,衬底温度较低时,以间隙氧形态存在,随着衬底温度的升高,SiOx量逐渐增多,间隙氧逐渐减少,氧流量的增加有利于间隙氧的存在和氧含量的增加;对以SiO为蒸发源的样品,衬底温度较低时,主要以间隙氧的形态存在,同时存在SiO〈,2〉和SiOx,800℃退火后,SiOx增多,同时产生大量SiO〈,2〉白硅石。荧光光谱(PL)表明薄膜的发光是量子效应发光。