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n-GaN肖特基势垒二极管的高温电子辐照效应

     
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摘要

本文研究了n-GaN肖特基势垒二极管的高温电子辐照效应.实验结果显示,高温下进行电子辐照,界面处辐照诱生缺陷会同时产生和被退火恢复;器件的击穿电压和反向漏电流受辐照影响减弱,其电学阈值增加;由辐照效应导致的可见光响应的影响仍然存在.

著录项

  • 来源
    《光散射学报》|2006年第3期|277-281|共5页
  • 作者

    谢宛玲; 杨治美; 钟志亲; 吴健; 林海; 马瑶; 袁菁; 龚敏;

  • 作者单位

    四川大学,物理科学与技术学院微电子学系,微电子技术四川省重点实验室,成都,610064;

    四川大学,物理科学与技术学院微电子学系,微电子技术四川省重点实验室,成都,610064;

    四川大学,物理科学与技术学院微电子学系,微电子技术四川省重点实验室,成都,610064;

    四川大学,物理科学与技术学院微电子学系,微电子技术四川省重点实验室,成都,610064;

    四川大学,物理科学与技术学院微电子学系,微电子技术四川省重点实验室,成都,610064;

    四川大学,物理科学与技术学院微电子学系,微电子技术四川省重点实验室,成都,610064;

    四川大学,物理科学与技术学院微电子学系,微电子技术四川省重点实验室,成都,610064;

    四川大学,物理科学与技术学院微电子学系,微电子技术四川省重点实验室,成都,610064;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 射线与物质的相互作用;
  • 关键词

    GaN肖特基势垒二极管; 高温; 电子辐照;

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