高温氧化多孔硅的电子束辐照效应

摘要

通过高温氧化处理得到的多孔硅，其阴极射线发光谱呈现明显的三峰结构。峰强随电子束辐照时间而下降。对光致发光很弱的样品，电子束辐照后光致发光明显地增强。红外透射谱及Ｒａｍａｎ谱分析表明样品基本上成为ＳｉＯｘ。进一步分析指出三峰可能来源于ＳｉＯｘ中的缺陷中心发光。电子束辐照在ＳｉＯｘ禁带中引进了一些缺陷能级，通过这些能级使得紫外线可激发样品发光，出现光致发光增强的现象。