高温条件下Ti/Al/Ni/Au n-GaN欧姆接触的可靠性研究

摘要

对于高温工作条件下Ti/Al/Ni/Au(15nm/220nm/40nm/50nm)四层复合金属层与n-GaN 的欧姆接触的研究,发现当环境温度低于300℃时,存储时间0～24 小时,其接触电阻率基本不变,表现出良好的温度可靠性；但是在300℃、500℃下各24 小时高温存储后,其欧姆接触发生了较为明显的退化,且不可恢复。接触电阻率均随测量温度的增加而增大,且增加趋势与掺杂浓度有密切关系。掺杂浓度越高,接触电阻率随测量温度的升高而增加的越缓慢,说明重掺杂样品欧姆接触具有更佳的高温可靠性。我们实验是从合金的不同退火条件以及欧姆接触的高温特性和高温存储方面上进行了测试和分析。