用Cr/Au/Ni/Au制备n-GaN欧姆接触

谢雪松; 张小玲; 吕长志; 武利; 袁颖; 李志国; 曹春海

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用Cr/Au/Ni/Au制备n-GaN欧姆接触

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为了获得n-GaN的低接触电阻的欧姆接触,采用Cr/Au/Ni/Au金属化系统与n-GaN形成欧姆接触,并对其不同温度下的接触电阻率进行了测试分析. 室温下Cr/Au/Ni/Au的接触电阻率为0.32mΩ·cm2,随着温度的升高,接触电阻率略有增加,在300℃时接触电阻率为0.65mΩ·cm2,因此此欧姆接触适合在高温下使用.

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来源
《北京工业大学学报》|2005年第5期|449-451|共3页
作者
谢雪松; 张小玲; 吕长志; 武利; 袁颖; 李志国; 曹春海;
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作者单位

北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022;

北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022;

北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022;

北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022;

北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022;

北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022;

南京固体器件研究所,南京,210016;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.23;
关键词
n-GaN材料; 欧姆接触; 接触电阻率;
入库时间 2023-07-25 15:11:33

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