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张泽洪; 孙元平; 赵德刚; 段俐宏; 王俊; 沈晓明; 冯淦; 冯志宏; 杨辉;
中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室;
GaN; Pt; 肖特基接触; 退火; MOVPE;
机译:Pt在n-GaN肖特基接触上的热退火行为
机译:Ni / Au在n-GaN肖特基接触上的热退火行为
机译:热退火铁磁Co / n-GaN肖特基接触中随温度变化的电流-电压特性
机译:热退火的肖特基金属接触对N-GaN肖特基二极管DC和RF行为的影响
机译:氮化镓和氮化铝镓器件的欧姆接触和肖特基接触的开发和特性。
机译:硼铝双重注入与微波退火相结合对NiSi / Si接触处肖特基势垒高度的调节
机译:Pt肖特基接触点的热退火对n-GaN的影响。 ud ud
机译:吸附或溶解不饱和醇在真空退火和电化学循环pt(111)和pt(多晶)电极上的伏安行为比较
机译:形成Pt-Si肖特基势垒接触的方法
机译:使用快速退火在SiGe层上形成均匀的Ni(Pt)Si(Ge)接触
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