Pt/4H—SiC肖特基接触的氢等离子体改性研究

摘要

采用EcR微波氢等离子体技术处理n型4H-SiC表面,然后淀积金属Pt制作肖特基接触。I—V特性测试分析结果表明,经过氢等离子体表面清洗后,Pt/4H—SiC接触的整流特性增强,肖特基势垒由1.25V提高到1.73V。而4H-SiC肖特基势垒理论分析显示,氢等离子体表面处理使Pt/4H-SiC接触的界面态密度由1.2×1013cm-2eV-1减小到1.6×1012cm-2eV-1。