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SiC肖特基接触的直接隧穿效应

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摘要

通过精确求解一维定态薛定谔方程得到电子通过三角形势垒的隧穿几率,模拟了SiC肖特基接触的直接隧穿效应.结果显示该方法比WKB近似更精确,同时也更适合工作在高场条件下的SiC材料,并且能够连续地计算热电子发射电流和隧穿电流.

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来源
《半导体学报》 |2006年第1期|174-177|共4页
作者
汤晓燕; 张义门; 张玉明; 郭辉; 张林;
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作者单位

西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类二极管：按工艺分;
关键词
SiC肖特基接触; 直接隧穿; WKB近似;

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