机译:肖特基场效应晶体管隧穿模型与肖特基势垒降低效应的比较研究
Airy function; Ambipolar; Metallic source/drain (S/D); Nanotechnology; Schottky barrier; Semiconductor device modeling; Tunneling model; Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB) method;
机译:使用掺杂剂隔离的绝缘体上硅基肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管有效降低肖特基势垒
机译:AlGaN / GaN Metal–2DEG隧道结场效应晶体管中栅极诱导的肖特基势垒降低效应
机译:顶部栅极石墨烯场效应晶体管中金属石墨烯触点的栅极控制肖特基势垒降低的物理模型
机译:使用Verilog-A语言对肖特基势垒碳纳米管场效应晶体管中的隧穿电流进行分析建模
机译:有机电容器,肖特基二极管和场效应晶体管的制造,表征和建模。
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机译:使用掺杂剂隔离的绝缘体上硅基肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管有效降低肖特基势垒
机译:掺入p型肖特基栅极势垒的alGaas / Gaas调制掺杂场效应晶体管的研究与分析