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第一章 绪论
1.1 后摩尔时代微电子技术的发展与挑战
1.2 TFET器件研究现状及存在问题
1.3 本论文主要创新点及内容安排
第二章 器件仿真平台及模型介绍
2.1 Sentaurus仿真软件介绍
2.2 TFET器件仿真模型
2.3 模型验证及TFET原理分析
2.4 本章小结
第三章 TFET器件稳态特性解析模型研究
3.1 器件IV模型的建立
3.2 器件CV模型建立
3.3 模型的推广应用
3.4 本章小结
第四章 TFET器件高频、瞬态特性解析模型研究
4.1 瞬态电流模型
4.2 高频电容模型
4.3 器件结构对瞬态电流及高频电容的影响
4.4 本章小结
第五章 新型平面InAs/Si异质TFET结构
5.1 新型平面InAs/Si异质TFET
5.2 器件结构尺寸及物理参数的优化分析
5.3 与其他新型器件结构的比较
5.4 基于新型平面结构的CTFET设计
5.5 本章小结
第六章 总结与展望
参考文献
致谢
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