二极管:按工艺分属于《中国图书分类法》中的五级类目,该分类相关的期刊文献有422篇,会议文献有60篇,学位文献有150篇等,二极管:按工艺分的主要作者有徐静平、李哲洋、柏松,二极管:按工艺分的主要机构有华中科技大学电子科学与技术系、南京电子器件研究所、北京工业大学等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
摘要: 在阐述银电化学迁移机理的基础上,利用体视显微镜、晶体管图示仪、光学显微镜、X射线检测系统及扫描电子显微镜等技术手段,系统分析了智能电表中肖特基二极管的电化学失...
2.[期刊]
摘要: 为实现硅基沟槽功率器件的快速异常处理,采用了EMMI/FIB-SEM测试方法快速检测沟槽势垒肖特基二极管电性及结构失效,阐述了多晶硅淀积过程中异常导致的漏电分...
3.[期刊]
摘要: 为解决因电子信息堆积造成的数据维度混乱问题,从而实现对信息参量的按需提取与处理,提出电子信息系统中多维度数据协同过滤方法。利用Hadoop分布框架构建标准的多...
4.[期刊]
摘要: 近年来学者对半导体肖特基器件做了大量的研究,旨在制备微型化、持久化、便携化和多功能化的小型电子器件。本文综述了金属-半导体材料之间通过接触界面形成肖特基二极管...
5.[期刊]
摘要: 为使学员在学习过程中更好地理解MIL-STD-1553B串行数据总线的数据传输过程,设计并开发了1553B总线数据传输仿真软件。分析1553B总线数据传输模式...
6.[期刊]
摘要: 基于汽车售后服务的状况,阐述汽车售后维修管理系统的设计,实现计算机网络系统对于汽车售后服务资源统一管理,系统采用JSP技术、JavaScript语言.
7.[期刊]
摘要: 介绍了原子层沉积(ALD)技术的应用现状及发展前景,包括ALD原理、ALD技术的主要优势、ALD在各方面的应用,如半导体及纳米电子学应用、光电材料及器件、微机...
8.[期刊]
摘要: 提出了一种具有低导通压降同时具有低漏电流的碳化硅650V肖特基二极管结构,基于半导体仿真软件Silvaco,验证了其正反向的器件性能,并与目前国际最新的商业化...
9.[期刊]
摘要: 针对现有双向TVS的不足及广泛的市场需求,采用集成器件结构和先进工艺研制了一款双向击穿电压7 V,电源Vcc对地GND的电容0.8 pF的超低电容TVS器件....
10.[期刊]
摘要: 区块链技术作为一种去中心化的信息技术,已经被广泛应用于信息传递、信号监测以及数据安全等工作中.区块链技术在广播电视信号监测中的应用能够有效保障信息数据的安全性...
11.[期刊]
摘要: 深度学习作为机器学习领域新的研究方向,现已在图像处理、语音识别和机器翻译等领域取得了突破性的进展.在处理自然语言任务中,深度学习建立在低层特征基础上,组合形成...
12.[期刊]
摘要: 自低温AlN、GaN形核技术和高温热退火技术实现了外延高质量GaN薄膜和激活p型GaN受主以来,GaN基光电器件得到了迅猛发展.但是,GaN基光电器件依然存在...
13.[期刊]
摘要: 随着校园信息化建设的深入发展,使用传统模式的IT架构和技术手段,已不能满足在大数据时代下校园信息化建设的发展.如何在有限的资金与硬件条件下,提高服务器的使用效...
14.[期刊]
摘要: 针对传统方法在光纤通信网络的访问中缺少对三线程保护技术的应用,导致出现安全保障率较低的问题.为此设计光纤通信网络可授权实体的安全访问系统.利用远程数据服务器与...
15.[期刊]
摘要: 针对传统智能电表集抄数据分析系统数据集成性能较差的问题,设计一种基于OLAP(On?line Analytical Processing,联机处理分析)技术的...
16.[期刊]
摘要: 针对聚合算法相对失真性能较差的问题,提出一种多域光网络拓扑聚合算法.对单个域实施赋权,以拟合多域光网络的逻辑物理路径.进一步压缩代表点集合,在坐标系中拟合代表...
17.[期刊]
摘要: 为实现水质重金属现场检测,设计一种基于Android的便携式水质电化学检测系统。该系统基于三电极体系电化学检测原理,以STM32单片机为主控芯片,结合外围的恒...
18.[期刊]
摘要: 在云计算环境中,为将所有动态资源全部统筹于平台主机之上,并对其进行全方位的分配与监控,为提升云计算资源全链路监控精度,提出基于Prometheus的云计算资源...
19.[期刊]
摘要: 氮化镓肖特基二极管(GaN SBD)因其击穿电压高、导通电阻小、电容小,被广泛应用于微波、毫米波电路。然而,微波、毫米波频段的GaN SBD仍然存在诸多不足,...
20.[期刊]
摘要: 表面钝化是半导体器件制造过程中的重要工艺环节之一,对器件的电学特性和可靠性有重要影响。微波PIN二极管器件的可靠性与钝化技术密不可分,结合高温干氧和等离子体化...
1.[会议]
摘要: 利用一次离子注入同时形成有源区和结终端结构,实现3300V 4H-SiC肖特基二极管器件.器件的正向电压为1.7V时,电流达到10.3A,电流密度为100A/...
2.[会议]
摘要: 本文报道了高压(>5000V)4H-SiC结势垒肖特基(JBS)二极管的设计和实验研究.基于数值仿真平台,对结势垒肖特基二极管的结构参数进行了优化设计,实现了...
3.[会议]
摘要: 本文介绍了1200V等级的4H-SiC结势垒肖特基(JBS)二极管的仿真和实验研究.基于2维数值仿真平台Silvaco,研究了不同结构参数,如p+区深度(Xj...
4.[会议]
摘要: 超晶格薄膜组成的量子井双势垒二极管器件(DBRT)的外部施加单轴压力会使得器件内部的薄膜发生应变——薄膜的几何尺寸会改变,在偏压不变的情况下器件的隧穿电流大小...
5.[会议]
摘要: 本文以BUCK电路为研究对象,分析了SiC肖特基二极管的工作特性,并给出了SiC肖特基二极PSPICE模型。利用PSPICE模型仿真出SiC肖特基二极管C3D...
6.[会议]
摘要: 阶跃恢复二极管由于其较小的暂态特性,常被应用于百皮秒甚至是几十皮秒量级的脉冲边沿整形电路中,所产生的快沿脉冲信号可用于示波器校准、精密同步触发、超宽带雷达等领...
7.[会议]
摘要: 对肖特基二极管的设计原理、制造工艺、在高温反偏试验(HTRB,high temperature reverse bias)中形成热点从而导致损坏的机理进行分析...
8.[会议]
摘要: 肖特基二极管由于开启压降低、开关速度快等优点被广泛应用于整流电路和功率模块等宇航电路中.由于空间环境辐射造成的故障中,单粒子效应造成的故障占辐射总故障的30%...
9.[会议]
摘要: 本文设计并制作了一款类混频GaAs基太赫兹三倍频二极管,二极管单阳极串联电阻为2.7Ω,总电容为15.2fF,截止频率为3.9THz.
10.[会议]
摘要: 肖特基二极管(SBD)是利用金属与半导体之间接触势垒进行工作的一种多数载流子器件,与普通PN结二极管相比,具有正向导通电压低,响应速度快等优良特性。因此SBD...
11.[会议]
摘要: 太赫兹肖特基二极管是在太赫兹应用中必不可少的器件。本文综述了几种不同衬底材料上的太赫兹肖特基二极管的研究进展和现状。
12.[会议]
摘要: 本文以太赫兹系统应用为背景,介绍了太赫兹肖特基一极管的设计与研制。首先介绍了太赫兹肖特基二极管的设计与优化;然后介绍了截止频率为3.2 THz肖特基二极管的制...
13.[会议]
摘要: 本文采用数值模拟方法对4H-SiC浮结结势垒肖特基二极管终端结构进行优化设计。表面终端采用场板、结终端扩展及场限环复合结构,克服了单一终端结构的弊端。浮结终端...
14.[会议]
摘要: 在外延层掺杂浓度为1.6×1014cm-3,厚度为24μm的4H-SiC上制作了结势垒肖特基二极管,器件的P型注入区和外围的JTE保护层,采用Al多重能量注入...
15.[会议]
高电流密度4H-SiC基混合P-N结肖特基二极管模拟和实验研究
摘要: 对4H-SiC MPS器件的正反向特性进行了二维模拟,并根据模拟结果进行了器件的设计和制造。实验测试结果显示,器件的性能与模拟结果吻合,通过一个简单的JTE结...
16.[会议]
摘要: 本文通过对比目前市场上出现的光伏二极管的正反向特性,说明了光伏二极管选型中过分追求降低二极管的正向压降的危害,并尝试给出更科学的光伏二极管的选型标准.
17.[会议]
一种新型的4H-SiC沟槽型MOS势垒肖特基二极管的设计和模拟研究
摘要: 在本文中,介绍了一种新型4H-SiC基TMBS器件的设计一方案及其电学特性模拟结果。这种新型的器件结构的特点在于:沟槽侧壁的氧化层设计的较薄,目的是加强沟槽侧...
18.[会议]
摘要: 本文基于半导体工艺,制作出了可用于THz频段的GaAs基肖特基倍频二极管。倍频二极管为反向级联二极管,通过制作欧姆接触阴极和肖特基接触阳极,制作的GaAs基肖...
19.[会议]
摘要: 本文借助于Silvaco数值分析工具,针对1200V系列平面型以及沟槽型碳化硅结势垒肖特基二极管进行了对比分析与优化设计.平面型结势垒肖特基二极管存在正向导通...
20.[会议]
摘要: 本文通过对肖特基二极管等效电路模型的建立,分析了二极管的阻抗和微波整流电路的电压,并依据此模型设计了小功率微波整流电路.在此电路基础上,为了扩展电路的功率容量...
1.[学位]
摘要: 广义的太赫兹(THz)一般是波长范围从3mm到30um的电磁波频谱,频率范围从100GHz到10THz,包括毫米波(30~300GHz)中的较高频部分,整个亚...
2.[学位]
摘要: 太赫兹技术在信息科学、空间科学、医学以及材料科学等学科上都有极高的开发空间和应用前景。尤其是长波波段(100GHz-300GHz),在雷达、通信和安检等系统中...
3.[学位]
摘要: 近年来,高性能的柔性电子特别是具有优秀机械性能(弯曲性)的柔性电子越来越受到学术研究领域的重视。这主要还是源于柔性电子区分于传统硬质电子的独特优势,比如高柔性...
4.[学位]
摘要: 随着经济的发展,全球对电能的需求量在逐年增加。如今,中国已超越美国成为了世界上电能消耗量最大的国家,而且中国的电能消耗量的增长率也远超美国和欧盟。这样的发展趋...
5.[学位]
摘要: 太赫兹波在通信、成像、探测等领域的独特优势,使得太赫兹前沿技术成了研究热点。太赫兹收发系统的研究促进了太赫兹技术的应用,混频器作为接收系统必要的一级,直接影响...
6.[学位]
摘要: 作为频谱内唯一尚未得到完全开发利用的资源,太赫兹技术具有重要的应用价值和研究意义,成为近年来科学研究的热门领域。使用倍频的方式得到太赫兹信号源,广泛应用于通信...
7.[学位]
摘要: 太赫兹频域是一个有待全面开发的电磁波区域。二十一世纪初,越来越多的专家学者将其研究重心转向太赫兹领域,促进太赫兹技术走出实验室,转化为现实生产力。目前太赫兹技...
8.[学位]
摘要: 碳化硅(SiC)是第三代半导体材料中的核心材料之一,具有优异的半导体物理性能,在高温、高频、大功率领域具有重要的应用。碳化硅肖特基二极管具有击穿电压高、导通电...
9.[学位]
摘要: 碳化硅(SiC)材料具有禁带宽度大、击穿电场高、介电常数低、热稳定性好等特点,在高频大功率电子器件以及耐高温光电器件方面呈现出极大的潜力。随着探测技术的快速发...
10.[学位]
摘要: 作为第三代半导体材料的代表,碳化硅(SiC)以其优良的材料特性成为制备高压、高温、大功率、抗辐射电力电子功率器件的理想材料。相对于传统的Si基功率器件,4H-...
11.[学位]
摘要: 随着电磁辐射应用越来越广泛,太赫兹技术在近年来受到许多研究人员的关注。目前,太赫兹技术研究的重点在于提高辐射源和探测器的性能。肖特基二极管具有速度快、良好的非...
12.[学位]
Al2O3基薄膜型a-IGZO肖特基势垒二极管制备及高温特性研究
摘要: 目前地热和井油海上开采等实时温度和气动参数的测试对测试系统中应用到的半导体器件提出了更高的要求,包括器件的材料、结构设计、封装配置等,要求能够在恶劣环境中具有...
13.[学位]
摘要: 随着半导体技术的发展以及集成电路制造工艺的进步,人们对功率半导体器件提出了新的要求,即低正向压降、低反向恢复时间、低功耗、高频、高温等。然而硅材料作为目前半导...
14.[学位]
摘要: 采用磁控溅射和真空蒸镀的制备技术制备出了具有垂直结构的ZnPc薄膜二极管和薄膜晶体管、PbPc薄膜二极管和薄膜晶体管以及ZnPc/PbPc共混蒸镀的薄膜二极管...
15.[学位]
摘要: 近些年来,随着半导体行业的发展,第三代宽禁带半导体正逐步成为二十一世纪最受瞩目的材料,其中GaN半导体器件是第三代半导体的典型代表,科学研究人员越来越重视这类...