槽底肖特基接触SiC MOSFET器件

摘要

本发明提供一种槽底肖特基接触SiC MOSFET器件，包括：N型衬底、N型外延层、P‑body区、P+接触区、N+接触区、氧化层、栅极、肖特基接触电极、P‑shield区、源极、漏极，本发明可以提升SiC MOSFET第三象限性能，实现了低的反向开启电压和导通损耗且避免双极退化问题，器件关断时槽底P‑shield区既可以屏蔽槽栅倒角处的电场，又可以保护槽底集成的肖特基界面，有效抑制这两处电场过大的现象，提高了器件整体电学特性和可靠性，相比传统结构沟道夹断，该器件相邻元胞的P‑shield区之间还形成了JFET夹断，肖特基接触电极也可以提供辅助耗尽，因此该结构具有更好的短路能力。