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刘新宇; 李诚瞻; 罗烨辉; 陈宏; 高秀秀; 白云;
中国科学院微电子研究所 北京 100029;
新型功率半导体器件国家重点实验室 湖南株洲412001;
株洲中车时代半导体有限公司 湖南株洲412001;
碳化硅; MOSFET; 栅极bus-bar; JFET注入; 大容量器件; 低漏电; 高温半导体;
机译:大容量高耐热SiC齐纳二极管的研制
机译:具有E模式P-GaN门HEMT和D模式SIC结域效应晶体管的1200V GAN / SIC CASCODE器件
机译:Cascode Light配置中的1200V SiC JFET:与基于Si和SiC的开关的比较
机译:1200V SiC MOSFET器件的阈值电压不稳定性
机译:1200V,10A碳化硅JBSFET的动态特征及故障分析
机译:1200V / 200A全SiC电源模块在开启瞬态时上侧和下侧开关的vgs特性的建模和分析
机译:1200V 100A SIC MOSFET和1200V 100A硅IGBT的性能比较
机译:可再生大容量硼氢化物作为储氢材料的研制
机译:具有倾斜通道的sic MOSFET器件及其制造方法
机译:具有集成肖特基二极管的SIC双沟道MOSFET器件及其制备方法
机译:集成肖特基二极管的sic沟槽MOSFET器件及其制造方法
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