首页> 中文学位 >1200V SiC VDMOSFET动态雪崩退化及失效机理研究

【6h】

1200V SiC VDMOSFET动态雪崩退化及失效机理研究

代理获取

页面导航

目录
著录项
相似文献
相关主题

目录

摘要

2．2．1 雪崩击穿

3．4本章小结

展开▼

著录项

作者
谢思亮;
展开▼
作者单位

西安电子科技大学;

展开▼
授予单位西安电子科技大学;
学科电子科学与技术；微电子学与固体电子学
授予学位硕士
导师姓名汤晓燕;
年度 2020
页码
总页数
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 V2TP3;
关键词

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 石墨烯增强铝基SiC复合材料的动态失效机理与抗侵彻性能 [J] . 徐豫新 ,眭明斌 ,任杰 . 北京理工大学学报 . 2019,第2期
2. 1.2kV SiC MOSFET器件URS应力退化机理研究 [J] . 黄宇 ,刘斯扬 ,顾春德 . 电子学报 . 2016,第001期
3. 基于失效机理的超级电容加速退化研究 [J] . 毛业军 ,赵胤淇 ,张伟先 . 电源技术 . 2021,第006期
4. 功率VDMOS器件高温直流应力下退化及失效机理研究 [J] . 石磊 ,陈旭华 . 上海第二工业大学学报 . 2019,第001期
5. 2A12铝合金动态腐蚀-疲劳耦合失效机理研究 [J] . 魏小琴 ,李晗 ,蒲亚博 . 表面技术 . 2021,第8期
6. IEM框架下我国土地退化治理——退化机理、动态评价及治理机制 [C] . 顾昱 . 2008年全国博士生学术论坛——地球系统科学与可持续发展 . 2008
7. GCT动态雪崩失效机理的研究 [A] . 杨武华 . 2017

代理获取

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号