SiC MESFET中Ti/Pt/Au肖特基接触稳定性的研究

摘要

SiC是一种在高功率和高温应用中涌现的非常重要的半导体材料。研究了一种国产SiC MESFET器件在300℃温度应力下,存储1 000 h Ti/Pt/Au栅肖特基势垒接触的稳定性以及器件电学特性的变化。实验结果表明在300℃温度应力下,器件的最大饱和漏电流、势垒高度、阈值电压和跨导等参数均呈现明显的下降趋势,在实验前期一段时间内退化较快,而在应力后期某段时间内为渐变并趋于稳定。