n—GaAsTi／Mo／Ti／Au中肖特基势垒接触稳定性的研究

摘要

对Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕ作栅金属的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ进行了高温反偏，高压反偏，高温正向大电流，高温存贮４种不同的应力试验。通过ＨＲＢ，Φｂ从０．６４３ｅＶ减少到０．６２ｅＶ，理想因子ｎ略有增大。ＨＴＳ试验中Φｂ从０．６７ｅＶ增加到０．６９ｅＶ，分析表明，这归因于界面氧化层的消失。