首页> 外国专利> Method for forming Pt-Si Schottky barrier contact

Method for forming Pt-Si Schottky barrier contact

机译:形成Pt-Si肖特基势垒接触的方法

摘要

Use of a rare gas in combination with oxygen or nitrogen to sputter etch unreacted platinum after formation of a platinum silicide contact structure for the formation of a Schottky Barrier diode in a silicon semiconductor substrate.
机译:在形成硅化铂接触结构以在硅半导体衬底中形成肖特基势垒二极管之后,使用稀有气体与氧气或氮气结合以溅射蚀刻未反应的铂。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号