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一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器及其制造方法;所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器包括上电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、第二导电类型埋层、栅介质层、栅电极层、肖特基势垒接触区和下电极层。所述肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器属于超势垒整流器类型,其可调节的肖特基势垒接触区可以采用常规肖特基势垒的制造工艺形成,能够依据具体应用条件方便的调节反向漏电水平和正向导通能力之间的匹配关系。从而该肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器具有制造工艺简单和方便应用的优点。

著录项

  • 公开/公告号CN107946301A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-04-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 重庆中科渝芯电子有限公司;

    申请/专利号CN201710101799.7

  • 申请日2017-02-24

  • 分类号

  • 代理机构重庆大学专利中心;

  • 代理人王翔

  • 地址 401332 重庆市沙坪坝区西园二路98号

  • 入库时间 2023-06-19 05:05:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-05-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/07 申请日:20170224

    实质审查的生效

  • 2018-04-20

    公开

    公开

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