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中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛

召开年：2009
召开地：西安
出版时间： 2009-10-11

主办单位：中国电器工业协会

会议文集：中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛论文集

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1.论坛献言
- 汪槱生
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：电力电子技术和产业的发展对国计民生具有很强的重要性，三高（高频率、高功率和高电压）则是反映国家电力电子总体水平和实力的重要方面，器件和整机产业是在产业上要强调的两个方面。本文就我国目前和今后对电力电子的技术、产业、和行业协调三方面提出了一些看法。
2.功率半导体器件发展之我见
- 张波
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文从功率半导体术语出发，概述功率半导体器件的技术分支，详细阐述了功率半导体器件的分类与发展历程，分析国内功率半导体发展现状以及问题并提出发展建议。
3.IGBT器件创新方向展望
- 乜连波;车庆学
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：电力电子产业在军事国防、电力、机械、交通、石化、纺织等传统产业和民用消费领域发挥着巨大作用，本文详细介绍了电力电子产业的行业背景，IGBT器件的国内外发展现状，提出了IGBT器件的创新方向。
4.中国IGCT的发展状况
- 吴煜东
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：概述了集成门极换流晶闸管(IGCT)的结构与关键技术，介绍了IGCT器件近年来在中国所取得的技术进展及对未来的美好展望。
5.宽禁带半导体电力电子器件前景展望
- 高勇
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：自上世纪九十年代以来，宽禁带半导体逐渐展现出无比诱人的前景，本文分析介绍了宽禁带电力电子器件的优越性，目前的发展状况以及未来的发展趋势。
6.绝缘栅晶体管(IGBT)的失效
- 亢宝位
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：绝缘栅晶体管(IGBT)在应用巾多涉及感性负载、高压、大电流和高开关速度的脉冲应用。这使它极易因过流、过压、超功耗、高di/dt和高dv/dt造成失效。失效模式有过热、碰撞电离载流子热倍增、雪崩击穿、晶闸管闩锁，以及动态雪崩击穿、动态晶闸管闩锁等。特别是很多情况下失效都不是电的或热的单独作用，往往是电热相互作用的结果。本文的主要内容是针对硬开关电路应用根据国际上已发表的主要研究成果扼要叙述抗失效的IGBT器件设计，也顺便提到在电路使用中需要注意的几个零碎问题。
7.论我国电力电子产业发展
- 白继彬
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：电力电子产业是我国的重要支撑产业之一，本文介绍了我国电力电子产业的发展现状，并从多方面探讨了我国电力电子产业的发展方向。
8.新能源发电中的若干电力电子问题
- 徐德鸿;徐君;苏娜;朱选才;李霄;刘昌金
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文从电力电子技术的立场，探讨风力发电.光伏发电、燃料电池发电对电力电子技术提出的要求，分析并指出了需要关注的技术难点和尚未解决的问题。
9.电力电子技术在风力发电中的应用
- 周鹤良
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文简单介绍了全球风电发展的现状和发展趋势以及国内风电的现状，详细分析了双馈异步风力发电机结构、永磁直驱式同步发电机结构、风力发电所应用的电力电子器件IGBT。
10.电力电子和微电子的对比及其系统集成技术的研究现状
- 刘鹿生
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文概述了电力电子与微电子的数字化、模块化和集成化三方面的对比；介绍了相关的系统集成技术的研究现状。
11.电力电子系统的若干数字控制技术
- 杨耕;周宏林;郑伟
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：作为一种能量变换系统，实时的数字式电力电子装置或系统的控制问题具有一些特点。迄今，在系统建模、控制策略，信号检测和软件编程等方面上已有一些适用于不同应用场合的有效方法。本文试图总结这些成果，以期对今后系统的研发工作有所帮助。
12.特高压晶闸管的设计
- 王正鸣;陆剑秋
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：在当前硅材料的直径、电阻率及其径向分布均匀性的最高水平基础上，提出运用以表面反型为判据的低浓度掺杂分布、电压片厚比、长基区临界薄、P型径向变掺杂等措施设计制造具有最大电流、最高电压参数组合的晶闸管。将特高电压与大电流及其它动静态参数的协调精度与挖潜深度的水平提高。同时对结终端与欧姆接触技术相兼容的两种典型结构进行了研制及关键参数分析对比。
13.高压晶闸管的设计与制造
- 范晓飞
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：市场上的电力半导体器件现已有几十种，它们各有其特点和应用领域。但在特大功率的工频应用中，晶闸管以其耐压高、通态压降小，是其它电力半导体器件所不能代替的。在大功率工频可控整流装置、高压直流输电、机车牵引、动态无功功率补偿等应用场台，晶闸管都占有一定优势，有着广阔的应用前景。本文主要介绍了一种高压晶闸管的设计方法和生产工艺，并对其在扩散工艺、光刻版的设计考虑、烧结、台面造型、封装结构等主要工艺方面进行了阐述。
14.寄生P-well对VDMOS器件耐压参数的影响
- 邓小社;胡兴正
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文介绍了VDMOS器件工艺流程中产生的一种常见的寄生结构--划片槽中的寄生P-well，并以200V VDMOs器件为例，通过器件模拟验证寄生P-well对VDMOs器件耐压参数BDVss的影响关系，同时也验证了Guard Ring区域场板长度与器件耐压参数BVDSS之间的关系。最终通过试验验证和理论分析，检验了器件模拟结果的正确性，并提出了解决寄生P-well结构对器件BVDSS参数影响的方法。
15.功率VDMOS器件可靠性失效解决方案
- 陈虞平
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：功率VDMOS器件，广泛应用于汽车电子，消费类电子。以汽车电子为代表的应用都要求器件具有高可靠性。本文主要讲述某高压DMOS产品，做高温反偏可靠性考核的时候发生失效，失效类型为阈值电压漂移后偏小失效。经过液晶分析对漏电点定位，然后对漏电点做剖片截面分析，最终发现钝化层有裂纹。失效模型为可动离子通过钝化层裂纹进入沟道，产生沟道漏电，从而引起阈值电压漂移。工艺上在钝化层淀积之前，增加一层TEOS，然后回刻，形成一层spacer，从而解决了钝化层裂纹问题，提高了器件的可靠性能力。
16.功率VDMOS器件可靠性及应用失效分析
- 胡振邦
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：功率VDMOS属于分立器件，以其高开关速度、低损耗等特点而应用广泛。由于功率VDMOS的工作条件恶劣，在高温大电压的应用环境下失效概率较大。本文总结和简述了VDMOS在可靠性考核和实际应用中的一些典型失效分析过程和方法，以及目前针对功率VDMOS失效一些常用的分析手段也作了初步介绍和讨论。
17.P型DMOS工艺背面杂质影响与解决方法
- 赵秋森
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：针对P型DMOS生产过程中出现的击穿电压不稳定的问题，本文经过分析，发现其主要是受背丽浓硼衬底在高温推阱时硼扩散对产品片JFET区域杂质浓度的影响。对于背面杂质扩散的影响，分析了其产生的原因，提出了改变外延片背封规格，增加JFET注入前掩蔽氧化层，在场氧前增加背面层次等可行的解决方法。
18.新型功率型MOSFET设计
- 郝振杰
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文详细介绍了大连宇宙电子有限公司研发出的一种新型功率型MOSFET产品设计流程以及该产品的功能。
19.300kVA变频器的逆变电路研究
- 胡雄伟;陈赐松
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文对三相变频器的逆变拓扑结构和控制电路进行了研究，针对常规三相大功率变频器的电路模型，进行了理论分析和实际研究。最后通过制作一套300kVA变频器，实验验证了电路的正确性和有效性，满足实际恒定负载条件下的变频器使用要求。
20.辅助变流器中软开关技术的实现
- 张亚社;赵芳;陶良慧
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文详细地介绍了软开关技术的概念和软开关的分类，重点讨论了软开关技术在辅助变流器控制单元中的实现。
21.城轨车辆用DC 1500V三电平牵引逆变器
- 陈广泰;高永军;姜新生
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文介绍了城轨车辆用DC 1500V三电平牵引逆变器的主要技术参数，主电路和总体结构。阐述了该逆变器的控制方式和保护设置。在地面模拟联动试验台上的试验验证，该三电平牵引逆变器的设计能满足城轨车辆的牵引/制动运行需要。
22.一种全功率风力发电变流器关键技术研究
- 周维来;孙敬华;张哲;裴景斌;丁兆国;李寅
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：风力发电机类型很多，本文选择了几种风力发电系统的结构进行了对比，给出了一种不控整流器加BOOST升压加PWM逆变的全功率风力发电变流器的原理、设计中采用的关键技术及试验结果。
23.风力发电控制系统浅析
- 张亚社;赵芳
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文首先介绍了世界风力发电控制系统的发展历程和我国的研究现状。接着详细介绍了控制系统的功能，并给出了DCS控制系统结构图，同时探讨了控制系统研究动态。
24.多功能时间继电器专用电路SJ0601在自动控制中的应用
- 陈建东;周华;刘沂元
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文分析介绍了时间继电器概况，详细介绍了时间继电器专用集成电路SJ0601功能、性能参数、对典型的原理以及应用线路进行了分析，并提供时间继电器解决方案。
25.关于中功率膜电容在变流器中的应用分析
- 司军民
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文介绍了电解电容和中功率薄膜电容的技术特点，结合项目应用对两种方案进行了分析比较，提供了中功率薄膜电容的设计要点。
26.浅谈厚膜技术在功率模块中的应用
- 李满长;陈建东
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文详细介绍了厚膜技术及其工艺，利用厚膜HIC制作IPM专用控制驱动电路，探讨厚膜技术在功率模块中的应用。
27.一种新颖的高压大功率“多重化”软启动装置
- 刘群;刘耀和
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：作者提出了一种基于“多重化”联结的软起动装置，该装置采用三相整流桥作交流调压器，具有较高的等效开关频率和接近正弦波的电流输出，能消除特定谐波，进行无弧切换，可选用品闸管第三代器件——智能化功率集成三相整流模块组装，生产工艺简单、成本低廉。作者在本文中介绍了它的工作原理、结构、性能和电路连接。
28.电力电子器件的发展与未来展望
- 钱照明;盛况;汪槱生
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：每一代新型电力电子器件的诞生，工业界往往都会掀起一场革命浪潮，本文详细介绍电力电子器件的发展历程以及现代功率半导体器件性能，对未来电力电子器件发展展望，即采用宽能带间隙材料的半导体器件。
29.快恢复二极管发展与现状
- 张斌
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文介绍了国内外专家学者为提高快恢复二极管(FRD)的反向恢复速度及软度所做的种种不懈努力，介绍了与IGBT、功率MOSFET等现代电力电子器件相配套的FRD的国内外现状及采用的技术方案，以及晶闸管企业研制FRD所需的硬件条件。
30.功率MOSFET的研究与发展
- 张波
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：功率MOSFET一直沿着结构优化、创新结构和宽禁带半导体材料三个方向发展，本文详细介绍了功率MOSFET的结构优化进程，分析介绍Super Junction结构、宽禁带半导体材料。
31.SiC功率半导体器件的优势及发展前景
- 刘忠立
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文在介绍Si功率半导体器件的发展历程及限制的基础上，结合具体器件介绍SiC功率半导体器件的优势，最后介绍SiC功率半导体器件的发展现状及前景。
32.浅谈厚膜技术在功率模块中的应用
- 李满长;陈建东
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文详细介绍了厚膜技术及其工艺，利用厚膜HIC制作IPM专用控制驱动电路，探讨厚膜技术在功率模块中的应用。
33.电力电子技术应用系统的一些新发展
- 赵争鸣
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：电力电子技术应用广泛，近几年，电力电子技术在应用上又出现了一些新的进展和发展趋势，本文概述了电力传动中的电力电子与电机集成系统集成化、智能化、通用化、信息化的发展，详细介绍了分布式发电系统中电力电子技术的应用以及全电化机载综合电力系统中电力电子技术的应用。
34.我国大功率交法流变频调速系统的研究
- 李崇坚
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文介绍了大功率交流变频调速系统的组成，详细分析了交交变频调速系统的工作原理以及晶闸管负载换向式变频系统的研制、新型电力电子器件交直交变频调速系统的研制。
35.简述电力电子技术在新能源建设中的应用
- 何平
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文介绍了电力电子技术在新时期中对科技进步和经济建设中将发挥越来越重要的作用。常见新能源领域和涉及到的常用工程。还重点介绍了电力电子技术在新能源领域的应用，进而阐述了电力电子技术发展的前景。
36.伴随电力电子器件一起发展中国轨道交通变流技术
- 郑琼林
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：回顾了轨道交通电传动系统的发展历史。从牵引传动系统、辅助系统和机车稳压电源三个层次的应用说明电力电子技术对电牵引传动系统发展的重要影响。从系统性能、装置简约、试验系统、多器件化和电能质量改善等五个方面阐述电力电子器件促进现代轨道交通变流技术的发展。
37.6.5 kV非对称晶闸管的优化设计与工艺研究
- 尹启堂;王彩琳
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文简述了非对称晶闸管的结构特点及其工作原理，分析了非对称晶闸管的关键结构参数对其特性的影响，以及结构参数之间的相互制约关系，对6.5kV非对称晶闸管进行了特性模拟与优化，给出优化设计的纵向结构参数。并研究了非对称晶闸管的制作工艺，样品测试结果表明，6.5kV非对称型晶闸管的设计参数和制作工艺方案是合理可行的。
38.一种新型超势垒整流器SBR的设计与制造
- 李泽宏;钱梦亮;廖忠平;张波
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：文中分析了一种新型的超势垒整流器SBR(SBR：Super、BarrierRectifier)。理论分析SBR结构势垒，建立了该器件正向压降的解析式，同时给出了该器件的工艺制造流程，并对其进行了模拟仿真及优化设计。最后，根据模拟得到的参数进行了100V的SBR器件制造，结果表明，所设计的SBR器件击穿电压为116V，在3A时的正向压降为0.7V，反向恢复时间达到了18ns，满足设计指标。
39.双基区大功率快恢复二极管的研究
- 尹启堂;安涛;邢毅;李扬
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文首先提出了在采用Vb=94ρn0.7数学模型，设计双基区P+PINN+结构快速软恢复FRD大功率二极管结构参数中，引入η=xm-w1=0.25数学模型的方法；以及硅片扩铂和电子辐照技术，共同控制基区少子寿命及分布新技术；并利用该设计方法对ZKR300A/2500V结构参数进行了优化设计。最后，对设计参数进行了实验验证，结果表明器件参数满足设计指标，且达到已达到了国外同类产品水平。说明该设计方法及各种参数的选取是正确的、寿命控制技术是有效的。为P+PINN+结构二极管设计与制造提供了一种具有重要的指导意义和参考价值的新方法。
40.RSD开通机理研究
- 颜家圣;余岳辉
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：新型半导体脉冲功率开关器件RSD具有优良的开通特性，速度快，前沿陡。反向注入电荷并产生等离子体触发，通过控制RSD等离子体层出现的过量电荷耗尽所要求的时间，能确保其正常开通，并获得良好的开通特性。
41.绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计要点
- 赵善麒;张景超;刘利峰;王晓宝
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文介绍了IGBT的基本结构和工作原理，介绍IGBT的特性，针对各个特性，着重分析讨论IGBT设计中的关键参数，IGBT设计中需要协调的几个参数。
42.一种积累层沟道TIGBT的特性其正向压降模型的建立
- 洪辛;钱梦亮;李泽宏;张波
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文分析了一种具有积累层沟道的TIGBT结构，它具有更低的正向导通压降，更大的闩锁电流密度和更宽正向安全工作区(FBSOA)。文章对其工作机理及相关特性进行了阐述及仿真分析，并根据其载流子浓度分布和电流连续性方程建立了具有缓冲层结构的积累层沟道TIGBT的正向压降数学模型，推导了其正向压降的解析表达式。
43.一种新型空穴旁路TIGBT器件
- 钟圣荣;钱梦亮;李泽宏;张波
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文提出了一种新型空穴旁路TIGBT器件。在传统TIGBT的基础之上，新结构采用槽型发射极并在金属发射极下引入一层P+空穴旁路区。仿真结果表明，新结构有效地抑制寄生晶闸管的闩锁效应，具有宽正向偏置安全工作区和高的闩锁电流以及更好的温度稳定性。此外，新型TIGBT器件中所有的杂质注入都不需要额外的掩模版，为器件的制造提供了方便。
44.如何理解功率VDMOSFET的电特性参数
- 张子敏
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：功率VDMOSFET器件由于其用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高等特性，被广泛应用于DC/DC转换器，UPS及各种开关电路等。在电路设计中，工程师会根据电路应用需求来选择功率器件。在选择器件的时候，除去封装形式的要求外，主要用来衡量器件特性的就是器件的电参数。本文将着重介绍功率VDMOSFET器件常用的静态及动态电参数的测试定义，条件制定和规范，以及如何通过这些电特性参数值去了解器件的性能。
45.一种600V VDMOS终端保护环结构的设计
- 高东岳
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文详细讨论了VDMOS终端保护环结构各部分，即保护环、保护环间隙和场板的作用及设计方法。结合600V VDMOS的外延电阻率和厚度，一种600V VDMOS终端保护环结构被成功设计出来了。
46.VDMOS器件ESD保护结构的设计
- 李泽宏;易黎;周春华;罗萍;计建新;张波
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文设计了一种多晶硅PIN二极管作为VDMOS器件的ESD保护结构。rn 多品硅PIN二极管通过在场氧化层上的多晶硅中小同区域进行不同掺杂实现，用来进行VDMOS器件栅源间的ESD保护。对不同I区宽度和二极管串联个数的多晶硅二极管进行了分析和流片测试，依据测试结果，设计了一种由5个I区宽度为1μm的PIN二极管串联作为VDMOS的ESD保护结构，并进行了版图设计和流片，流片后的测试结果表明，该VDMOS器件栅源间的抗ESD能力达HBM3000V。
47.MTC300-50高压模块的设计与制造
- 王豹子
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：随着科学技术的不断发展和工业现代化进程的不断推进，市场要求设备装备产品标准化、集成化、模块化，而电力半导体模块以其结构紧凑、体积小、重量轻、使用安全、安装方便、易于维护更换等优点，使其做为整流桥或固体开关，广泛应用于电力设备、电镀、冶金、焊机、煤矿等行业。本文介绍了模块的概念，普通模块与高压模块的区别，简述了MTC300-50高压电力半导体模块在绝缘套管的耐压设计、结构件的绝缘保护设计、高绝缘强度和导热率材料的应用、两步灌封工艺的应用等关键技术，设计思路和技术创新，以及工艺方法改进的情况。
48.新型功率半导体模块焊接工艺的探析
- 乜连波;刘培育;段锐;李健
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：根据多年对新型功率半导体模块焊接工艺的研究，进一步探析了“真空+气体保护”焊接工艺及提高焊接质量的方法。
49.一种矩阵级联型变流技术研究
- 孙敬华;丁兆国;周围来;李寅
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文揭示和描述了一种矩阵级联型四象限高压变频器，并研究了它的n电路拓扑形式、组成原理、实现方法和仿真等。它结合了矩阵变换器、交-交变频器和H桥级联型四象限高压变频器的三重特点，采用虚拟多重化整流技术和多重叠加PWM技术，本文给出了它的仿真结果等。
50.H桥级联型高压变频器技术研究
- 孙敬华;丁兆国;周围来;李寅
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文描述了H桥级联型高压变频器的原理拓扑结构，对产品的实现方法、研究内容和发展方向做了深入的阐述。
51.三电平变频器调制方法研究
- 冷严冬
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文介绍了几种常用的变频器调制方法，分析了各种方法的优缺点，并在此基础上详细介绍了适合于三电平变频器的空间矢量脉宽调制法。
52.电力电子技术在风光互补发电系统中的应用
- 龙翔;邓隐北;李昕
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文介绍了风光互补发电中应用的电力电子技术。智能型风光互补路灯系统由于应用了先进的电力电子技术，经过实践验证该系统是最为合理的绿色照明系统。
53.二相式6kVA UPS设计
- 许勇枝
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文介绍由MOTOROLA公司的MC68HC908MR32单片机构成的在线式二相式UPS解决方案，并阐述了该UPS的工作原理，结果表明该UPS电源能够很好的解决110V制式的电网配电问题，具有结构简单，控制方便，抗干扰能力强，使用灵活等优点。
54.浅谈电力电子技术在电力能源计量管理中的应用
- 何平
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：本文介绍一种用现代电力电子的嵌入式技术、传感器技术、网络信息技术、现场总线(Profibus-DP)技术、计量技术及管理技术;对电源进行实时计量和优化管理。通过应用现场总线技术对用电量实时就地或远程监控和集中科学管理。
55.SAPF有源电力滤波器的开发与应用
- 周保臣;龙翔;邓隐北
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：有源电力滤波器(APF)，通过对谐波的实时监测、在线计算出系统中的谐波分量，并产生相应的控制信号，再由IGBT等功率器件构成的逆变电路得到所需补偿的谐波分量，并联接入产生谐波的主回路中，实现动态跟踪抑制谐波和无功补偿的目的。本文重点介绍了“森源电气”最新研制的sAPF的关键技术及其创新特点，力求在电力系统中推广应用，以有利于节能减排和确保供电质量。
56.关于风电场远程监控系统的浅析
- 赵芳;杨日龙;李磊
- 《中国电器工业协会电力电子分会成立20周年庆典大会暨高峰论坛》 | 2009年
摘要：我国各大风电场在引进国外风力发电机组的同时，一般也都配有相应的监控系统。但各有自己的设计思路，致使风电场监控技术互不兼容。如果一个风电场中有多种机型的风电机组的话，就会给风电场的运行管理造成很大困难。因此，开发出适合我国风电场运行管理的监控系统是必要的。本文在对目前国内几个风电场监控系统进行调研分析的基础上，提出有关设计思路。