高频C—V法在肖特基势垒接触退化失效分析中的应用

摘要

GaAs MESFET的栅极肖特基势垒接触退化的主要失效机理是栅金属下沉和栅金属扩散，因而引起有效沟道宽度减小或沟道掺杂浓度的下降。笔者用高频C—V法测定试验前后沟道载流子浓度随深度分布的变化，可获得栅金属下沉和栅金属扩散的信息，为肖特基接触退化的失效分析提供了一种有效的方法。